二氧化锆栅介质薄膜光学及电学特性研究

• 作者: 张庆瑜 李智 马春雨
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 光谱椭圆偏振仪 介电常数 ZrO2薄膜 光学禁带间隙
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 491-494
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 4352字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.04.032

摘要

采用反应RF磁控溅射法在氧气和氩气的混合气氛中制备了具有较高介电常数、较宽光学禁带间隙的ZrO2薄膜.利用变角度光谱椭圆偏振仪研究了不同O2/Ar流量比下制备所得薄膜的厚度、复折射率、复介电常数和吸收系数,估算了薄膜的光学禁带间隙,并测试分析了在不同O2/Ar流量比下溅射沉积的Al/ZrO2/SiO2/n型Si叠层结构的G-V、I-V特性曲线.通过对O2/Ar流量比分别为1/9、1/4、4/1、1/0工艺条件下溅射沉积ZrO2薄膜的a2与光子能量关系图的拟合,确定了其光学禁带间隙Eg分别为6.27、5.84、6.03、5.92eV,在O2/Ar流量比为1/9、1/4、1/0工艺条件下溅射沉积ZrO2薄膜,其ZrO2/SiO2叠层的有效介电常数keff计算结果分别为14.6、19.6和9.3,漏电流较低(＜5.0×10-5A/cm2),其击穿电场强度分别为5.6、6.3、9MV/cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李智	大连大学机械工程系	40	459	13.0	18.0
2	张庆瑜	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	92	897	16.0	25.0
3	马春雨	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	22	178	8.0	12.0