高质量自调Q激光晶体Cr4+,Nd3+:Gd3Ga5O12的生长

• 作者: 姜本学 徐军 赵志伟 邓佩珍
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 共沉淀法 固相合成法 Cr4+ Nd3+:GGG晶体 光谱
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 光功能材料及其应用
• 页码范围: 201-203
• 页数: 3页
• 分类号: TN248.1
• 字数: 1238字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.040

摘要

用固相合成、共沉淀等方法合成了Cr4+,Nd3+:GGG晶体的单相多晶材料.讨论了共沉淀法和固相合成法合成GGG单相的技术参数.用合成的单相多晶原料生长了高质量的Cr4+,Nd3+:GGG单晶.通过测晶体的光谱性质发现:Cr4+,Nd3+:GGG晶体在400nm和520nm附近存在Cr3+离子的强的吸收峰.在808nm附近存在Nd3+离子宽的吸收带,能与InGa二极管激光有效的耦合;在1100附近有Cr4+的较强的吸收带,可实现对Nd3+的自调Q输出.Cr4+,Nd3+:GGG晶体的荧光光谱与Nd:GGG晶体的一样,发光中心也位于1062nm,但其强度约为Nd:GGG的1/5～1/6.Cr4+,Nd3+:GGG晶体是一种非常有潜力的自调Q激光晶体,可以实现大功率激光器的小型化和全固化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐军	中国科学院上海光学精密机械研究所	290	2418	22.0	34.0
2	邓佩珍	中国科学院上海光学精密机械研究所	88	747	14.0	22.0
3	姜本学	中国科学院上海光学精密机械研究所	19	148	9.0	11.0
4	赵志伟	中国科学院上海光学精密机械研究所	47	312	11.0	15.0