应用事件相关电位P300评估精神分裂症患者智能状态

• 作者: 孙富根 穆俊林 董瑞兰
• 来源期刊: 中国临床康复
• 学科: 医学
• 关键词: 精神分裂症 智商 诱发电位
• 年，卷（期）: 2004,（15）
• 所属期刊栏目: 临床研究
• 页码范围: 2820-2821
• 页数: 2页
• 分类号: R749.3
• 字数: 3519字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1673-8225.2004.15.013

摘要

目的:探讨精神分裂症患者P300电位与智商的变化,判定P300电位在评价此类患者智力方面的作用.方法:对40)例精神分裂症患者和38例健康者分别进行了P300电位测定和韦氏成人智力量表(WAIS-RC)评定.结果:精神分裂症患者的P300电位波潜伏期(ms)延长(354.7±28.9),波幅(μV)降低(2.2±1.6),与对照组相比差异有显著性意义(t=2.58,P＜0.01),WAIS-RC量表测验发现言语智商、操作智商及总智商均低于对照组,有显著性差异(t=2.65,2.72,3.10,P＜0.01).相关分析显示P300波潜伏期与各智商呈显著负相关(r=-0.28～-0.33,P＜0.05),波幅与言语智商及总智商呈显著正相关(r=0.29～0.32,P＜0.05).结论:P300电位在评价精神分裂症患者智能方面具有重要意义,可作为一项客观的电生理学指标应用于临床.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	穆俊林	新乡医学院第二附属医院精神科	87	573	12.0	16.0
2	孙富根	新乡医学院第二附属医院精神科	11	70	4.0	8.0
3	董瑞兰	新乡医学院第二附属医院精神科	4	4	1.0	2.0