光电子能谱的X射线对TATB、TNT表面结构的影响

• 作者: 徐涛 王丽鑫
• 来源期刊: 含能材料
• 学科: 化学
• 关键词: 物理化学 X射线光电子能谱 炸药 表面结构 TATB TNT
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 27-29
• 页数: 3页
• 分类号: TJ55|O644.1
• 字数: 1868字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-9941.2005.z1.009

摘要

采用X射线光电子能谱(XPS)中的双阳极Mg Kα射线(1253.6 eV)作为辐射源,对TATB、TNT表面进行持续照射,并采用XPS对其表面效应进行了研究.研究结果表明TATB表面的NH2/NO2含量之比在前20 min随着时间的延长逐渐增大,在30～60 min之间呈稳定趋势;TNT在X射线照射下放气量很大,元素分析结果表明C元素和O元素含量在10 min以后有升高的趋势,而对应的N元素含量相应减少.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐涛	中国工程物理研究院化工材料研究所	56	190	8.0	10.0
2	王丽鑫	中国工程物理研究院化工材料研究所	3	21	2.0	3.0