三沟道体电荷耦合器件在近红外光区光电特性的数值模拟

• 作者: 宋敏 张颖 王玉新 郑亚茹
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 体电荷耦合器件 光敏特性 多光谱成像
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1015-1019
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.5
• 字数: 3321字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.05.031

摘要

对三沟道BCCD(bulk charge-coupled device)在近红外光区的光电特性进行了研究.结果表明,锗制的三沟道BCCD不能在近红外光区实现多光谱成像.通过理论分析,找到了一种能保证BCCD在近红外光区工作的衬底材料应满足的吸收曲线.数值模拟结果表明:利用这种新材料制成的三沟道BCCD,其光敏特性曲线可以分别在1.0,1.1和1.26μm处出现最大值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋敏	大连民族学院光电子技术研究所	24	445	9.0	21.0
2	郑亚茹	辽宁师范大学物理系	30	308	7.0	17.0
3	王玉新	辽宁师范大学物理系	53	127	5.0	9.0
4	张颖	辽宁师范大学物理系	20	29	2.0	5.0