磁控溅射Ni-Mn-Ga磁驱动记忆薄膜的组织结构与成分研究

• 作者: 刘超 吴冶 蔡伟 赵连城
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: Ni-Mn-Ga 形状记忆 磁驱动 薄膜
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 543-545
• 页数: 3页
• 分类号: TG111.92
• 字数: 2352字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2005.04.018

摘要

利用射频磁控溅射技术成功地在Si衬底上沉积Ni-Mn-Ga薄膜,并采用XRD、SEM、AFM及 EMPA系统研究Ni-Mn-Ga薄膜的晶体学结构、断面形貌、表面形貌、成分及其影响规律.结果表明,经823K退火1h Ni-Mn-Ga薄膜完全晶化,室温下呈L21型体心立方结构;断面形貌揭示Ni-Mn-Ga薄膜呈柱状结构.Ni-Mn-Ga薄膜的表面粗糙度随溅射功率和溅射时间的增加而增大;Ni-Mn-Ga薄膜中Ga的含量受溅射功率影响较大,Ni的含量受溅射时间影响较大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵连城	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	107	1153	16.0	29.0
2	蔡伟	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	73	482	13.0	17.0
3	刘超	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	32	183	8.0	12.0
4	吴冶	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	6	46	4.0	6.0