发光二极管阵列中上隔离沟槽的设计与制备

• 作者: 李佳 梁静秋 王维彪 赵莉娜 金霞
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微显示器件 发光二极管阵列 隔离沟槽 湿法腐蚀 欧姆接触 AlGaInP GaP
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 微机械加工技术
• 页码范围: 76-80
• 页数: 5页
• 分类号: TN31
• 字数: 2754字
• 语种: 中文

摘要

分析了发光二极管阵列上隔离沟槽的理想尺寸.采用湿法腐蚀方法对金属层、p-GaP层及多层AlGaInP进行了逐层腐蚀,完成了宽2 μm深6 μm的上隔离沟槽的制作.腐蚀后的上隔离沟槽边缘平整,其深度和宽度可以解决注入电流在相邻像素之间产生的干扰问题.