脉冲DT中子场中的CeF3、ST401 闪烁探测器输出比对

• 作者: 周殿忠 唐章奎 张建华 李忠宝 杨洪琼 杨高照 王振通 胡孟春 胡青元
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CeF3 无机闪烁体 辐射探测 脉冲DT中子源 中子灵敏度 ST401
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 380-383
• 页数: 4页
• 分类号: TL812|TL816
• 字数: 2899字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.039

摘要

本工作对国内近年新研制的CeF3用于γ测量时的抗中子干扰能力进行研究,在脉冲DT中子源场中对分别由CeF3和ST401构成的闪烁探测器输出进行比较测量.在相同测点中子注量率情况下的测量结果表明:ST401探测器的输出电荷比同体积的CeF3高10多倍;ST401探测器的电流输出峰值幅度比同体积的CeF3高30多倍.由此可得到CeF3对中子相对不灵敏,在n、γ混合辐射场中测量快γ辐射时,该无机晶体将是一种较合适的候选闪烁体.