化合物半导体的THz发射光谱

• 作者: 崔伟丽 张存林 张振伟 赵国忠
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: THz 半导体 电光取样 发射光谱
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 9-12
• 页数: 4页
• 分类号: O433.4
• 字数: 2232字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.003

摘要

利用反射式太赫兹(THz)辐射产生与探测系统,研究了基于不同半导体的THz发射光谱.通过快速傅里叶变换,由测得的THz时域光谱得到了其相应的频域光谱,从而对不同半导体的THz发射性质进行了比较.结果表明,未掺杂的砷化铟(InAs)较其他半导体材料有更高效的THz发射效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵国忠	首都师范大学物理系	50	751	16.0	26.0
2	张存林	首都师范大学物理系	111	1730	24.0	35.0
3	张振伟	首都师范大学物理系	10	310	4.0	10.0
4	崔伟丽	首都师范大学物理系	2	81	2.0	2.0