晶体硅中缺陷和沉淀的红外扫描仪研究

• 作者: 席珍强
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 红外扫描仪:缺陷 沉淀
• 年，卷（期）: 2005,（7）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(半导体检测与测试技术)
• 页码范围: 18-20
• 页数: 3页
• 分类号: TN16|TN4
• 字数: 2147字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2005.07.006

摘要

晶体硅中的杂质或缺陷会显著地影响各种硅基器件的性能.通过红外扫描仪观察晶体硅中的晶界、位错和不同金属沉淀的分布和形貌,并分析其相关信息.与传统研究手段相比,红外扫描仪不仅可以直接观察到体内的缺陷或沉淀,而且不会破坏样品.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	席珍强	浙江大学硅材料国家重点实验室	22	539	13.0	22.0