具有P型埋层PSOI结构的耐压分析

• 作者: 张波 李肇基 段宝兴
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: BPSOI 附加电场 击穿电压 比导通电阻
• 年，卷（期）: 2005,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2149-2153
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2991字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.11.020

摘要

提出了一种具有p型埋层的PSOI器件耐压新结构,称为埋层PSOI(BPSOI).其耐压机理是,通过p型埋层电荷产生的附加电场调制作用,导致表面电场分布中产生新的峰而使击穿电压提高;p型埋层的电中性作用增加了漂移区优化的浓度而使比导通电阻降低.借助二维MEDICI数值分析软件,获得此结构较一般PSOI的击穿电压提高52%～58%、比导通电阻降低45%～48%.