钨掺杂PZN-PZT陶瓷的结构与压电性能的研究

• 作者: 张慧君 张昌松 王卫民 田长生 高峰
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 掺杂 晶格常数 压电性能 电滞回线
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与应用
• 页码范围: 3-7,11
• 页数: 6页
• 分类号: TM282
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2005.01.001

摘要

用二次合成法制备了掺杂WO3的PZN-PZT压电陶瓷,研究了WO3对PZN-PZT陶瓷晶胞结构与压电性能的影响,结果表明钨掺杂促进PZN-PZT陶瓷的烧结致密化,于1100℃下形成晶界清晰,结构致密的陶瓷.钨掺杂引起晶格畸变,随着钨含量的增加,晶格常数a和c减小,四方度降低;对压电性能的研究表明随着钨含量的增加,PZN-PZT陶瓷的矫顽场Ec、自发极化强度Ps、机电耦合系数Kp和压电常数d33减小,介电常数ε和机械品质因数Qm增大,绝缘电阻率ρ先增加后减小;PZN-PZT陶瓷在WO3掺杂量为1.0%(质量分数)时具有最佳综合性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田长生	西北工业大学材料学院	110	922	16.0	24.0
2	高峰	西北工业大学材料学院	119	958	16.0	23.0
3	王卫民	西北工业大学材料学院	17	220	7.0	14.0
4	张昌松	西北工业大学材料学院	17	142	7.0	11.0
5	张慧君	西北工业大学材料学院	12	205	6.0	12.0