在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管

• 作者: 吕有明 姚斌 张吉英 张振中 申德振 矫淑杰 范希武 赵东旭
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 p型掺杂 p-n同质结 分子束外延
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 542-544
• 页数: 3页
• 分类号: TN383.1
• 字数: 1221字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2005.04.026

摘要

用等离子体辅助的分子束外延的方法在蓝宝石衬底上生长了氧化锌的p-n同质结发光二极管.在实验中p型ZnO层是采用NO等离子体作为掺杂剂生长的.在低温下,二极管的I-V特性曲线显示了典型的p-n结整流特性,并且具有很低的开启电压(4 V).在实验中得到了位于蓝紫区的电致发光.