BJMOSFET频率特性的模拟分析

• 作者: 尚玉全 晏敏 曾云 滕涛 盛霞 高云
• 来源期刊: 湖南大学学报（自然科学版）
• 关键词: 双极MOS场效应晶体管 频率特性 模拟分析
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 电气工程
• 页码范围: 33-36
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-2472.2005.01.008

摘要

提出了双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的高频等效模型,定性分析了BJMOSFET的各种寄生电容及其影响,利用PSPICE9器件库中现有的元器件建立BJMOSFET频率特性模拟分析的等效电路,通过提取模型参数,运用电路模拟软件PSPICE9的多瞬态分析法对BJMOSFET的频率特性进行了模拟仿真,与相同结构参数和同等外界条件的传统MOSFET比较,BJMOSFET具有较小的总电容、较宽的通频带、良好的小信号瞬态特性和很小的大信号失真,证明了BJMOSFET比MOSFET具有更好的频率响应特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	晏敏	湖南大学微电子研究所	61	635	13.0	23.0
2	曾云	湖南大学微电子研究所	102	899	13.0	27.0
3	高云	湖南大学微电子研究所	5	70	3.0	5.0
4	盛霞	湖南大学微电子研究所	5	18	3.0	4.0
5	滕涛	湖南大学微电子研究所	5	64	3.0	5.0
6	尚玉全	湖南大学微电子研究所	4	63	3.0	4.0