锯齿型源漏结构的新型InP基HEMT器件

• 作者: 刘明 刘训春 尹军舰 张海英 牛洁斌 王润梅 陈立强
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InP HEMT 微波单片集成电路
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1126-1128
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 字数: 531字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.06.011

摘要

毫米波晶体管的制作技术是微波电路设计和制造的基础.从优化器件结构的角度,提出了一种锯齿型源漏的新型InP基HEMT器件.实验证明,采用这种结构可以减少光刻过程中临近效应的影响,改善源漏的图形形貌,提高器件制做的成品率.获得了具有良好直流和微波特性的晶体管,其跨导达到1050mS/mm,阈值电压为-1.0V,截止频率达到120GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子研究所	207	1983	20.0	38.0
2	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
3	尹军舰	中国科学院微电子研究所	31	99	6.0	7.0
4	刘训春	中国科学院微电子研究所	43	222	9.0	11.0
5	王润梅	中国科学院微电子研究所	15	78	6.0	8.0
6	陈立强	中国科学院微电子研究所	14	62	4.0	7.0
7	牛洁斌	中国科学院微电子研究所	12	43	4.0	6.0