稀土掺杂硅基薄膜的高效发光特性

• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Nd掺杂 多孔硅 酸处理 光致发光
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 651-654
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3|O482.31
• 字数: 2184字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2005.05.019

摘要

测量了在不同离子注入剂量,不同退火条件下的Nd注入Si基晶片室温光致发光谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定.在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大,随退火条件的不同而改变.在实验室条件下,对掺杂硅片和单晶硅片进行电化学腐蚀制成多孔硅样片,同时用适当配比的HNO3对以单晶硅为基底的多孔硅进行处理,测试了腐蚀后各类样品的光致发光(PL)谱.发现掺稀土Nd的多孔硅和用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高.