提高晶闸管结温的途径

• 作者: 李漫 项建华
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 晶闸管 结温 雪崩 短路点
• 年，卷（期）: 2005,（12）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 57-59
• 页数: 3页
• 分类号: TN34
• 字数: 1943字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2005.12.018

摘要

探讨了在半导体晶闸管(SCR)制造过程中,采用合理的工艺手段,选用最低电阻率的单晶、偏长的基区、阴极加短路环、短路点,使小电流a2为零,经过严格的斜边清洗与钝化,使SCR最高工作结温尽量达到理论值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	项建华		5	9	2.0	3.0
2	李漫		4	5	1.0	2.0