MgB2颗粒超导体临界电流的温度特性研究

• 作者: 孙杏蕾 张义邴 高召顺
• 来源期刊: 低温与超导
• 学科: 工学
• 关键词: MgB2 颗粒超导体 弱连接 渗流模型
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 页码范围: 44-47
• 页数: 4页
• 分类号: TM26
• 字数: 2823字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-7100.2005.02.011

摘要

通过制备MgB2/MgO超导复合材料,获得了典型的MgB2弱连接颗粒超导体,并测量了该样品在不同温度下的Ⅰ-Ⅴ特性曲线.在Ⅰ-Ⅴ曲线中,我们发现:当电流超过临界电流时,电压随着电流先是缓慢的增长,在电流升到一定值时,电压有一个很陡的突变.我们对这一变化进行了研究,认为这是由于MgO杂质使MgB2的晶界效应增强所引起的.该样品的临界电流和温度的关系满足:jc(T)∝(1-T/Tc)1/3,利用三维Josephson结网络系统的渗流模型进行计算发现,当颗粒超导系统处于非均匀状态时,临界电流和温度满足关系式jc(T)∝(1-T/Tc)4/3,这一结果和我们的实验符合的非常好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高召顺	上海大学理学院物理系	4	6	2.0	2.0
2	孙杏蕾	上海大学理学院物理系	3	2	1.0	1.0
3	张义邴	上海大学理学院物理系	23	42	3.0	5.0