热氧化法制备的ZnO薄膜的光致发光特性研究

• 作者: 方粮 胡礼中 郑东裕
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 热氧化法 X射线衍射 光致发光
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 323-326
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2821字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2005.04.015

摘要

在空气中利用热氧化方法分别在P型硅、高阻硅、陶瓷以及N型硅衬底上制备了氧化锌(ZnO)薄膜.同时在氧气中、P型硅衬底上氧化制备少量氧化锌薄膜加以比较.氧化时间固定为1 h,氧化温度300℃～800℃.采用X射线衍射(XRD)以及光致发光(PL)光谱研究比较薄膜的结构和PL特性.发现在氧气中氧化样品质量明显好于在空气中氧化的样品.氧气中300℃氧化时有最窄的半高宽和最大的晶粒尺寸.在高阻硅材料衬底上制备的ZnO薄膜表现出较好的紫外发射带,而在陶瓷材料上表现出较好的绿色发射带.而N型材料也是较好的紫外发射材料,P型材料在低温下表现出较好的发光特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡礼中	大连理工大学物理系	28	160	8.0	11.0
2	方粮	国防科技大学计算机学院	12	108	3.0	10.0
3	郑东裕	国防科技大学计算机学院	2	16	2.0	2.0