基于BiCMOS工艺的高速10位A/D转换器研究

• 作者: 李应良 赵继德 马传龙
• 来源期刊: 成都信息工程学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: BiCMOS A/D转换器 专用集成电路 比较器 残差放大器
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 302-305
• 页数: 4页
• 分类号: TP335+.1
• 字数: 2583字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-1742.2005.03.016

摘要

研究一种基于BICMOS工艺的高速十位A/D转换器,这种转换器采用二步分区式结构,包含了二个5位的全平行(闪烁型)ADC .在BiCMOS工艺基础上,根据A/D转换器的工作原理、结构特点设计出比较器电路,残差放大器.最后对设计的比较器和残差放大器电路进行仿真,得出比较器瞬态响应突变时间为600ns,残差放大器建立时间为1.5μs、放大增益约为2dB,其性能指标超出了同类器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李应良		8	60	4.0	7.0
2	赵继德	烟台师范学院物理与电子工程学院	17	81	5.0	8.0
3	马传龙		5	45	3.0	5.0