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摘要:
CamSemi公司日前开发成功了不需改变元件面积即可将耐压提高至20倍的IGBT(绝缘栅双极晶体管)。在2004年12月13日于美国旧金山召开的“2004年国际电子器件大会”上做了技术发表。
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文献信息
篇名 英国CamSeml开发成功耐压20倍的IGBT
来源期刊 变频器世界 学科 工学
关键词 绝缘栅双极晶体管 IGBT 耐压值 驱动电路 控制电路 集成电路 英国CamSemi公司
年,卷(期) bpqsj_2005,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 34
页数 1页 分类号 TN322.8
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研究主题发展历程
节点文献
绝缘栅双极晶体管
IGBT
耐压值
驱动电路
控制电路
集成电路
英国CamSemi公司
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
变频器世界
月刊
1561-0330
大16开
深圳市南山区高新南区科苑南路中地数码大厦
1997
chi
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