量子阱中极化子的声子平均数

• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子阱 变分法 声子平均数
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 575-580
• 页数: 6页
• 分类号: O469|O482.3
• 字数: 2694字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2005.05.004

摘要

采用有效质量近似下的变分法,考虑到电子同时与表面光学声子和体纵光学声子相互作用,研究了无限深量子阱中极化子的表面光学声子平均数,体纵光学声子平均数和光学声子平均数.讨论了电子与体纵光学声子耦合强度α,阱宽L和势垒材料AlxGa1-xAs中Al的含量x对上述光学声子平均数的影响.以GaAs/AlxGa1-xAs量子阱为例进行了数值计算.结果表明:量子阱中表面光学声子平均数随耦合强度α,阱宽L和Al含量x增大而增大.量子阱中体纵光学声子平均数随耦合强度α,阱宽L的增大而增大.光学声子平均数随耦合强度α,阱宽L和Al含量x的增大而增大.