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摘要:
采用TSMC 0.18 μmCMOS工艺实现了全差分相位差为450的LC低相位噪声环形压控振荡器电路.芯片面积1.05 mm×1.00 mm.当仅对差分输出振荡信号的一端进行测试时, 自由振荡频率为5.81 GHz, 在5 MHz频偏处的相位噪声为-101.62 dBc/Hz.
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文献信息
篇名 多相位低相位噪声5GHz压控振荡器的设计
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 压控振荡器(VCO) 环形振荡器 CMOS工艺
年,卷(期) 2005,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 164-166
页数 3页 分类号 TN43|TN752
字数 1352字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2005.01.042
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王志功 东南大学射频与光电集成电路研究所 342 2153 20.0 29.0
2 熊明珍 东南大学射频与光电集成电路研究所 40 321 10.0 15.0
3 章丽 东南大学射频与光电集成电路研究所 36 217 9.0 12.0
4 陈莹梅 东南大学射频与光电集成电路研究所 12 89 5.0 9.0
5 赵海兵 东南大学射频与光电集成电路研究所 2 23 1.0 2.0
传播情况
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引文网络
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2015(1)
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研究主题发展历程
节点文献
压控振荡器(VCO)
环形振荡器
CMOS工艺
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
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