ZnO:Al(ZAO)薄膜的制备与特性研究

• 作者: 孙超 宫骏 张小波 王铁钢 裴志亮 闻立时
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 直流反应磁控溅射 ZAO薄膜 生长机制 光电特性
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 84-88
• 页数: 5页
• 分类号: TB383
• 字数: 3290字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2005.01.016

摘要

采用磁控溅射技术制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜.研究了不同的工艺参数对薄膜的组织结构和光电特性的影响.实验结果表明,多晶ZAO薄膜具有(001)择优取向且呈柱状生长,能量机制决定其微观生长状态.讨论了薄膜的内应力,高的沉积温度和低的溅射功率可有效减小薄膜的内应力.优化的ZAO薄膜电阻率和在可见光区的平均透射率可分别达到3×10-4-4×10-4Q·cm和80%以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙超	中国科学院金属研究所	126	1708	23.0	34.0
2	宫骏	中国科学院金属研究所	52	464	12.0	20.0
3	闻立时	中国科学院金属研究所	117	1859	24.0	36.0
4	裴志亮	中国科学院金属研究所	19	425	12.0	19.0
5	王铁钢	中国科学院金属研究所	4	117	4.0	4.0
6	张小波	中国科学院金属研究所	6	61	4.0	6.0