大剂量Mn离子注入GaAs的性质

• 作者: 刘志凯 宋书林 尹志岗 杨少延 柴春林 陈诺夫
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低能注入 砷化镓 X射线衍射 梯度磁强计
• 年，卷（期）: 2005,（z1）
• 页码范围: 24-27
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.7
• 字数: 1063字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.007

摘要

在室温条件下在半绝缘性GaAs衬底上进行了大剂量Mn离子的低能注入,并进行了不同条件的退火.借助于X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,经过退火后生成的新相衍射峰增多,根据衬底(004)峰摇摆曲线分析结果退火后更多的Mn离子进入晶格.运用原子力显微镜分析了样品的表面,发现退火后突起的起伏度增加.磁性分析表明,退火样品的磁化强度增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘志凯	中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室	17	43	4.0	5.0
2	柴春林	中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室	14	46	4.0	6.0
3	陈诺夫	中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室	33	154	6.0	11.0
7	尹志岗	中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室	9	5	1.0	1.0
8	杨少延	中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室	17	35	3.0	5.0
9	宋书林	中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室	6	4	1.0	2.0