钛学术
文献服务平台
学术出版新技术应用与公共服务实验室出品
首页
论文降重
免费查重
学术期刊
任务中心
登录
文献导航
学科分类
>
综合
工业技术
科教文艺
医药卫生
基础科学
经济财经
社会科学
农业科学
哲学政法
社会科学II
哲学与人文科学
社会科学I
经济与管理科学
工程科技I
工程科技II
医药卫生科技
信息科技
农业科技
数据库索引
>
中国科学引文数据库
工程索引(美)
日本科学技术振兴机构数据库(日)
文摘杂志(俄)
科学文摘(英)
化学文摘(美)
中国科技论文统计与引文分析数据库
中文社会科学引文索引
科学引文索引(美)
中文核心期刊
cscd
ei
jst
aj
sa
ca
cstpcd
cssci
sci
cpku
默认
篇关摘
篇名
关键词
摘要
全文
作者
作者单位
基金
分类号
搜索文章
搜索思路
钛学术文献服务平台
\
学术期刊
\
工业技术期刊
\
无线电电子学与电信技术期刊
\
半导体学报(英文版)期刊
\
大剂量Mn离子注入GaAs的性质
大剂量Mn离子注入GaAs的性质
作者:
刘志凯
宋书林
尹志岗
杨少延
柴春林
陈诺夫
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
低能注入
砷化镓
X射线衍射
梯度磁强计
摘要:
在室温条件下在半绝缘性GaAs衬底上进行了大剂量Mn离子的低能注入,并进行了不同条件的退火.借助于X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,经过退火后生成的新相衍射峰增多,根据衬底(004)峰摇摆曲线分析结果退火后更多的Mn离子进入晶格.运用原子力显微镜分析了样品的表面,发现退火后突起的起伏度增加.磁性分析表明,退火样品的磁化强度增大.
暂无资源
收藏
引用
分享
推荐文章
Mn+离子注入GaAs的铁磁性质和结构
GaAs
铁磁性
离子注入
注入剂量对W离子注入改性TiNi合金耐蚀性的影响
TiNi合金
W离子注入
耐蚀性
氮离子注入小扁豆的诱变效应
氮离子注入
小扁豆
遗传变异
诱变效应
离子注入法Mn掺杂InAs/GaAs量子点的光磁性质
InAs/GaAs量子点
光致发光
团簇
铁磁性
内容分析
文献信息
引文网络
相关学者/机构
相关基金
期刊文献
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
篇名
大剂量Mn离子注入GaAs的性质
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
低能注入
砷化镓
X射线衍射
梯度磁强计
年,卷(期)
2005,(z1)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
24-27
页数
4页
分类号
TN304.7
字数
1063字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.007
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
刘志凯
中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室
17
43
4.0
5.0
2
柴春林
中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室
14
46
4.0
6.0
3
陈诺夫
中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室
33
154
6.0
11.0
7
尹志岗
中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室
9
5
1.0
1.0
8
杨少延
中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室
17
35
3.0
5.0
9
宋书林
中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室
6
4
1.0
2.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(0)
共引文献
(0)
参考文献
(9)
节点文献
引证文献
(1)
同被引文献
(1)
二级引证文献
(0)
1991(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1995(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1996(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
2001(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
2002(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2003(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2004(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2005(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2011(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
低能注入
砷化镓
X射线衍射
梯度磁强计
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
国家重点基础研究发展计划(973计划)
英文译名:
National Basic Research Program of China
官方网址:
http://www.973.gov.cn/
项目类型:
学科类型:
农业
期刊文献
相关文献
1.
Mn+离子注入GaAs的铁磁性质和结构
2.
注入剂量对W离子注入改性TiNi合金耐蚀性的影响
3.
氮离子注入小扁豆的诱变效应
4.
离子注入法Mn掺杂InAs/GaAs量子点的光磁性质
5.
Mn离子注入InAs/GaAs量子点结构材料的光电性质研究
6.
Fe离子注入ITO薄膜的光电磁性质研究
7.
Co离子注入ITO薄膜的磁性研究
8.
离子注入表面改性技术的应用与发展
9.
离子注入红芸豆种子生物效应分析
10.
常温氦离子注入纳米钛膜的微结构分析
11.
离子注入对红小豆农艺性状及产量的影响
12.
氮离子注入谷子诱变效应研究
13.
离子注入改善电接触微动磨损研究
14.
基于STM32离子注入机剂量检测控制器的设计
15.
低能离子注入聚苯胺薄膜结构性能研究
推荐文献
钛学术
文献服务平台
学术出版新技术应用与公共服务实验室出品
首页
论文降重
免费查重
学术期刊
任务中心
登录
根据相关规定,获取原文需跳转至原文服务方进行注册认证身份信息
完成下面三个步骤操作后即可获取文献,阅读后请
点击下方页面【继续获取】按钮
钛学术
文献服务平台
学术出版新技术应用与公共服务实验室出品
原文合作方
继续获取
获取文献流程
1.访问原文合作方请等待几秒系统会自动跳转至登录页,首次访问请先注册账号,填写基本信息后,点击【注册】
2.注册后进行实名认证,实名认证成功后点击【返回】
3.检查邮箱地址是否正确,若错误或未填写请填写正确邮箱地址,点击【确认支付】完成获取,文献将在1小时内发送至您的邮箱
*若已注册过原文合作方账号的用户,可跳过上述操作,直接登录后获取原文即可
点击
【获取原文】
按钮,跳转至合作网站。
首次获取需要在合作网站
进行注册。
注册并实名认证,认证后点击
【返回】按钮。
确认邮箱信息,点击
【确认支付】
, 订单将在一小时内发送至您的邮箱。
*
若已经注册过合作网站账号,请忽略第二、三步,直接登录即可。
期刊分类
期刊(年)
期刊(期)
期刊推荐
一般工业技术
交通运输
军事科技
冶金工业
动力工程
化学工业
原子能技术
大学学报
建筑科学
无线电电子学与电信技术
机械与仪表工业
水利工程
环境科学与安全科学
电工技术
石油与天然气工业
矿业工程
自动化技术与计算机技术
航空航天
轻工业与手工业
金属学与金属工艺
半导体学报(英文版)2022
半导体学报(英文版)2021
半导体学报(英文版)2020
半导体学报(英文版)2019
半导体学报(英文版)2018
半导体学报(英文版)2017
半导体学报(英文版)2016
半导体学报(英文版)2015
半导体学报(英文版)2014
半导体学报(英文版)2013
半导体学报(英文版)2012
半导体学报(英文版)2011
半导体学报(英文版)2010
半导体学报(英文版)2009
半导体学报(英文版)2008
半导体学报(英文版)2007
半导体学报(英文版)2006
半导体学报(英文版)2005
半导体学报(英文版)2004
半导体学报(英文版)2003
半导体学报(英文版)2002
半导体学报(英文版)2001
半导体学报(英文版)2000
半导体学报(英文版)2005年第z1期
半导体学报(英文版)2005年第9期
半导体学报(英文版)2005年第8期
半导体学报(英文版)2005年第7期
半导体学报(英文版)2005年第6期
半导体学报(英文版)2005年第5期
半导体学报(英文版)2005年第4期
半导体学报(英文版)2005年第3期
半导体学报(英文版)2005年第2期
半导体学报(英文版)2005年第12期
半导体学报(英文版)2005年第11期
半导体学报(英文版)2005年第10期
半导体学报(英文版)2005年第1期
关于我们
用户协议
隐私政策
知识产权保护
期刊导航
免费查重
论文知识
钛学术官网
按字母查找期刊:
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
其他
联系合作 广告推广: shenyukuan@paperpass.com
京ICP备2021016839号
营业执照
版物经营许可证:新出发 京零 字第 朝220126号