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摘要:
我国发光二极管(LED)研发从20世纪70年代开始,早期由中科院长春物理所、厦门大学物理系、中国电子科技集团公司第13所、浙江大学等几个高校、研究所开展研究工作,由当时的电子工业部扶植了南昌746厂、苏州半导体厂和长春半导体厂等几个重点企业。这些单位主要以GaP、GaAlAs材料为主,开展汽相、液相外延生长,芯片制造和后工序环氧封装,做出了以GaP为主的红、橙、黄、绿色LED,并开发出GaAlAs高亮度红、橙色LED。在红外LED方面,
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超高亮抗静电LED关键技术研究与产品开发
LED
核心技术
超高亮度
抗静电
高亮度发光二极管(HB LED)及应用概况
高亮度发光二极管
半导体照明
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 我国超高亮度LED和白光LED发展状况及前景
来源期刊 集成电路通讯 学科 工学
关键词 超高亮度LED 白光LED 发展状况 发光二极管(LED) 中国电子科技集团公司 20世纪70年代 GAALAS 前景 液相外延生长 半导体厂 绿色LED 厦门大学 浙江大学 研究工作 电子工业 芯片制造 GaP 中科院 物理系 研究所 长春 封装
年,卷(期) jcdltx,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 12-14
页数 3页 分类号 TN383
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1 张瑞君 59 124 6.0 10.0
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研究主题发展历程
节点文献
超高亮度LED
白光LED
发展状况
发光二极管(LED)
中国电子科技集团公司
20世纪70年代
GAALAS
前景
液相外延生长
半导体厂
绿色LED
厦门大学
浙江大学
研究工作
电子工业
芯片制造
GaP
中科院
物理系
研究所
长春
封装
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
集成电路通讯
季刊
大16开
安徽省蚌埠市06信箱
1983
chi
出版文献量(篇)
868
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16
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