PZT铁电陶瓷的氢致半导体化

• 作者: 乔利杰 宿彦京 李金许 褚武扬 高克玮 黄海友
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: PZT-5H铁电陶瓷 氢 氢致半导体化 氢致相变
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 页码范围: 1004-1008
• 页数: 5页
• 分类号: TG111.6|TG148
• 字数: 2776字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2005.09.020

摘要

研究了锆钛酸铅铁电陶瓷(PZT-5H)的氢致半导体化现象.结果表明,随试样中氢浓度的升高,漏电电流和载流子浓度升高,电阻率下降,颜色由黄变黑.即氢能使PZT-5H铁电陶瓷从绝缘体变成n型半导体.高于Curie点充氢时,能抑制PZT-5H从立方的顺电相向四方的铁电相的转变,室温下铁电性消失.但室温电解充氢并不抑制相变.高温除氢后试样的性能及颜色均恢复.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高克玮	北京科技大学材料物理系	110	613	13.0	19.0
2	乔利杰	北京科技大学材料物理系	139	834	15.0	21.0
3	褚武扬	北京科技大学材料物理系	135	889	17.0	22.0
4	李金许	北京科技大学材料物理系	46	323	11.0	15.0
5	宿彦京	北京科技大学材料物理系	53	346	9.0	17.0
6	黄海友	北京科技大学材料物理系	20	70	5.0	7.0