100mm InGaP/GaAs HBT及相关电路关键工艺

• 作者: 刘洪民 刘训春 孙海锋 石瑞英
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: In0.49Ga0.51P腐蚀 聚酰亚胺平面化 空气桥
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 106-110
• 页数: 5页
• 分类号: TN385
• 字数: 2260字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.01.022

摘要

对100mm In0.49Ga0.51P/GaAs HBT器件及相关电路制备中的In0.49Ga0.51P腐蚀问题、聚酰亚胺平面化、空气桥等几项关键工艺进行了研究,解决了器件及电路制备过程中出现的难题,尤其是用很简单的方法解决了In0.49-Ga0.51P腐蚀过程中经常出现的腐蚀"岛"问题,并且成功地制作出所设计的器件及电路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙海锋	中国科学院微电子研究所	12	45	4.0	6.0
2	石瑞英	四川大学物理系	28	141	7.0	11.0
3	刘训春	中国科学院微电子研究所	43	222	9.0	11.0
4	刘洪民	中国科学院微电子研究所	7	69	5.0	7.0