多孔硅形成机理的逆结晶学模型

• 作者: 卢景霄 孙晓峰 段启亮 王海燕 郜晓勇
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 自选择性 对称性 逆结晶学 缺陷控制 扩散控制
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 178-182
• 页数: 5页
• 分类号: O76
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2005.01.038

摘要

本文概述了多孔硅形成机理和现有模型.通过观察和分析多晶多孔硅化学腐蚀机理提出了一个新模型:多孔硅形成机理的逆结晶学模型.这个模型指出多晶多孔硅均匀形貌具有自选择性,而此自选择性受结晶学原理控制.此模型的提出对研究晶体生长有用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王海燕	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	62	372	11.0	16.0
2	卢景霄	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	100	570	12.0	17.0
3	孙晓峰	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	8	74	3.0	8.0
4	段启亮	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	3	4	2.0	2.0
5	郜晓勇	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	1	2	1.0	1.0