CdSe/ZnSe超薄层中两类量子岛(点)之间的激子转移和它们的光学性质研究

• 作者: 柏利慧 柳毅 沈学础 王防震 陈张海 黄少华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子点 激子 CdSe
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 434-438
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3274字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.01.081

摘要

在变温条件下,对CdSe/ZnSe超薄层中的两类量子岛(点)进行了荧光光谱研究.在低温时,这两类岛之间的激子转移主要是通过隧穿过程,而随着温度的升高,局域激子的热跳跃逐渐取代隧穿过程成为激子转移的主导机理.研究还发现,小岛是具有准零维光学性质且不同于大岛的纳米团簇,它们激子的光学特性之间存在一定的差异,但实验表明两类量子岛之间又有很大的光学关联.