AlGaN基PIN光电探测器的模型与模拟

• 作者: 张春福 张金凤 郝跃 龚欣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: pin光电探测器 光谱响应 太阳盲区 UV/solar选择比 极化效应
• 年，卷（期）: 2005,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1610-1615
• 页数: 6页
• 分类号: TN364+.2
• 字数: 3518字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.08.026

摘要

在漂移扩散方程的基础上建立了AlGaN p-i-n光电探测器的物理模型,分析了多种结构AlGaN p-i-n光电探测器的光谱响应,并讨论了AlGaN/GaN异质结界面极化效应对太阳盲区p-GaN/i-Al0.33Ga0.67N/n-GaN倒置异质结结构p-i-n光电探测器(inverted heterostructure photodetectors,IHPs)UV/Solar选择比(280rm与320nm响应度之比)的影响.结果表明:优化p层是提高器件光谱响应的有效途径;为获得较高的UV/Solar选择比,光伏模式(零偏压)为太阳盲区p-GaN/i-Al033Ga0.67N/n-GaN IHPs的最佳工作模式;在光伏模式下考虑极化效应影响时,Ga面p-GaN/i-Al0.33Gao.67N/n-GaN IHPs器件的UV/Solar选择比可达750,与Tarsa等人报道的三个量级的实验结果基本一致.