碳纳米管阵列电极的构建及电化学研究

• 作者: 张静 杨勇 高泉涌
• 来源期刊: 电化学
• 学科: 化学
• 关键词: 氧化铝模板 碳纳米管 阵列电极 循环伏安法 交流阻抗法
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 87-91
• 页数: 5页
• 分类号: O646
• 字数: 2148字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-3471.2005.01.018

摘要

本文提出一种改进的氧化铝模板法制备碳纳米管阵列电极:首先结合气相化学沉积和磁控溅射在氧化铝模板中制得碳纳米管阵列电极,然后用HF溶液将沉积了碳纳米管的氧化铝模板阻挡层除去,控制溶出时间即可得到不同溶出长度的碳纳米管阵列电极.循环伏安测试表明,锂离子在该阵列电极中的嵌入脱出反应主要发生在碳纳米管的端口处.此外,还应用固定频率交流阻抗法,研究了不同溶出时间的碳纳米管阵列电极的电容性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨勇	厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室厦门大学化学系	86	684	15.0	24.0
2	张静	厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室厦门大学化学系	30	93	5.0	9.0
3	高泉涌	厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室厦门大学化学系	1	4	1.0	1.0