GaAs光电导探测器的双束质子改性

• 作者: 孙可煦 彭能岭 林理彬 葛兆云 黄天暄
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: 砷化镓 光电导探测器 质子改性
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 303-306
• 页数: 4页
• 分类号: O571.33
• 字数: 3108字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2005.04.009

摘要

介绍了未改性的砷化镓光电导探测器以及经过两束不同能量的质子改性后的砷化镓探测器对X射线的响应,并对它们的输出波形与经过电子改性后的探测器的输出波形进行了比较,结果表明,经过双束质子辐照后的探测器的性能有较大的改善,双束质子改性较电子改性后的探测器有较好的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林理彬	四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室	90	605	13.0	20.0
2	孙可煦	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	14	40	3.0	5.0
3	彭能岭	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	3	14	1.0	3.0
4	黄天暄	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	5	9	2.0	2.0
5	葛兆云	江苏科技大学数理系	2	1	1.0	1.0