GEM探测器的计数性能研究

• 作者: 刘健敏 史伟民 夏义本 汪琳 王林军 苏青峰
• 来源期刊: 上海有色金属
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子倍增器 X射线 工作电场 计数
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 页码范围: 110-113
• 页数: 4页
• 分类号: O572.21
• 字数: 2158字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-2046.2005.03.002

摘要

采用真空热蒸发法在50μm的聚酰亚胺薄膜上蒸镀5μm～8μm的铜层,并用激光掩模打孔法在其上制备了孔径80μm、孔间距285μm的GEM复合薄膜,成功组装了20mm×20mm的GEM探测器.对GEM探测器在55Fe X射线(5.9keV)辐照下进行了脉冲幅度分布谱测试,讨论了漂移区电场、ΔGEM电场、收集区电场对探测器记数的影响.结果表明,随着漂移区电场的增加,计数先增加后减小,在13kV/cm时达到最大值9.7×104.随着ΔGEM电场的增加,记数呈指数增长,最大可达1.2×104.随着收集区电场的增加,计数增大并趋向饱和,最大可达1.3×105.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏义本	上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系	111	725	13.0	19.0
2	王林军	上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系	109	441	11.0	14.0
3	史伟民	上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系	56	313	10.0	14.0
4	刘健敏	上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系	22	87	5.0	6.0
5	苏青峰	上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系	22	99	5.0	8.0
6	汪琳	上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系	11	46	5.0	6.0