厚胶光刻中光敏化合物浓度空间分布研究

• 作者: 刘世杰 唐雄贵 杜惊雷 郭永康 高峰 高福华
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光刻 厚层光刻胶 PAC浓度分布 曝光 后烘
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 所属期刊栏目: 光子束技术
• 页码范围: 48-53
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 3044字
• 语种: 中文

摘要

厚胶光刻过程是一个复杂的非线性过程,其光刻胶内光敏化合物(PAC)浓度空间分布是影响显影面形的主要因素.根据厚层胶光刻的特点,结合光化学反应机理,利用角谱理论,分析了在曝光过程中光刻胶内衍射光场和PAC浓度的空间分布随时间的动态变化,以及后烘(PEB)过程对PAC浓度空间分布的影响.该方法数值计算结果准确,且速度快.数值模拟表明,其内部衍射光场分布与PAC浓度分布是一个动态的、非线性的相互影响过程;后烘工艺可平滑PAC浓度空间分布;PAC浓度空间分布是影响浮雕面形边沿陡度的一个重要因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭永康	四川大学物理科学与技术学院	87	836	16.0	21.0
2	高福华	四川大学物理科学与技术学院	56	392	11.0	16.0
3	杜惊雷	四川大学物理科学与技术学院	77	611	13.0	18.0
4	高峰	四川大学物理科学与技术学院	44	359	8.0	17.0
5	唐雄贵	四川大学物理科学与技术学院	21	174	7.0	12.0
6	刘世杰	四川大学物理科学与技术学院	14	213	8.0	14.0