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摘要:
在传统工业型热丝化学气相沉积(HFCVD)反应腔内,相关工艺参数取模拟计算优化值的条件下,采用XRD,SEM及Raman光谱等分析手段研究了单晶Si (100)上较大面积金刚石薄膜的动力学生长行为,讨论了晶格取向的变化规律.结果表明:优化工艺参数条件下,在模拟计算的衬底温度和气体温度分布均匀的区域内,沉积的金刚石薄膜虽存在一定的内应力,但整体薄膜连续、均匀,几何晶形良好,质量较高,生长速率达1.8 μm/h.薄膜生长过程中晶形显露面受衬底温度和活性生长基团浓度的影响较大.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 热丝CVD大面积金刚石薄膜的生长动力学研究
来源期刊 新型炭材料 学科 化学
关键词 热丝化学气相沉积 金刚石薄膜 动力学生长 模拟计算
年,卷(期) 2005,(3) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 229-234
页数 6页 分类号 O613.71
字数 3573字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1007-8827.2005.03.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 孙超 中国科学院金属研究所 126 1708 23.0 34.0
2 汪爱英 中国科学院金属研究所 33 206 9.0 13.0
3 黄荣芳 中国科学院金属研究所 37 704 16.0 25.0
4 闻立时 中国科学院金属研究所 117 1859 24.0 36.0
5 柯培玲 中国科学院金属研究所 22 149 7.0 11.0
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新型炭材料
双月刊
1007-8827
14-1116/TQ
16开
太原市165信箱
1985
chi
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1787
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3
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28123
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