低能离子束辅照对溅射镀TiN膜生长的影响

• 作者: 三宅正司 华学明 吴毅雄 李铸国
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: TiN薄膜 物理气相沉积(PVD) 择优取向 离子照射
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 页码范围: 1087-1090
• 页数: 4页
• 分类号: TB383
• 字数: 3185字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2005.10.016

摘要

用诱导型等离子体辅助磁控溅射装置在Si(100)表面低温沉积TiN膜,研究了高密度低能量(≈20 eV)离子束辅照对溅射镀TiN膜生长、结构和性能的影响.结果表明,高密度低能离子束辅照会改变TiN膜的择优生长方向并使薄膜致密化.即使沉积温度低于150℃,当入射基板离子数和Ti原子数的比值Ji/JTi≥4.7时,沉积的TiN膜仍可具有完全的(200)面择优生长,薄膜微观结构致密,硬度达到25 GPa,残余压应力小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	华学明	上海交通大学材料科学与工程学院	104	782	16.0	23.0
2	吴毅雄	上海交通大学材料科学与工程学院	236	2618	27.0	37.0
3	李铸国	上海交通大学材料科学与工程学院	67	513	13.0	20.0