蒙脱土/聚酰亚胺复合薄膜的电击穿破坏特性

• 作者: 吴俊涛 杨士勇 王德生 胡爱军 范琳
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 聚酰亚胺 薄膜 MMT 击穿破坏
• 年，卷（期）: 2005,（5）
• 所属期刊栏目: 性能研究
• 页码范围: 31-34
• 页数: 4页
• 分类号: TM855
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9239.2005.05.009

摘要

通过在聚酰亚胺基体中引入一定量 MMT片层,可以改善薄膜的耐电老化性能,对薄膜电老化前后表面形貌及化学组成的研究结果表明: MMT片层均匀而充分的分散提高了 MMT/PI薄膜的耐电弧性 , 这是聚酰亚胺薄膜电老化性能改善的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨士勇	中国科学院化学研究所高技术材料实验室	92	1168	19.0	27.0
2	胡爱军	中国科学院化学研究所高技术材料实验室	20	351	9.0	18.0
3	范琳	中国科学院化学研究所高技术材料实验室	43	559	14.0	21.0
4	王德生	中国科学院化学研究所高技术材料实验室	18	197	9.0	13.0
5	吴俊涛	中国科学院化学研究所高技术材料实验室	3	45	3.0	3.0