一种抗辐照SOI反相器

• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 辐照效应 反相器 输出高电平
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1829-1832
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 1266字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.09.029

摘要

制备了一种抗辐照SOI反相器,增加了一个上拉pMOS1和一个额外的nMOS1.当受到辐照后,pMOS1和nMOS1输出的高电平使下级输出管的源漏电压减小,降低了漏电流,有效地提高了输出端"高"电平.实验证明,该反相器在经受6×105rad(Si)的辐照后,输出"高"电平仍然未下降.