英飞凌开发出70nm沟道结构内存技术

• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: DRAM 存储器 内存技术 70nm沟道结构 英飞凌公司
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 14
• 页数: 1页
• 分类号: TP333

摘要

德国英飞凌科技与台湾南亚科技公司面向利用300rim晶圆生产的新一代DRAM，日前联合开发出了一种采用沟道结构内存单元的70nm工艺技术。准备用于2007年开始量产的1Gbit及2Gbit产品的生产。该技术的最大特点是：沟道电容器的绝缘膜首次采用了高介电常数(high-k)的Al2O3材料。由此增加了单元容量，从而就能缩小电容器的体积。除此之外，