深亚微米CMOS IC全芯片ESD保护技术

• 作者: 臧佳锋 薛忠杰
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 深亚微米 CMOS ESD LVTSCR STFOD 全芯片
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 电路设计与制造
• 页码范围: 26-30,7
• 页数: 6页
• 分类号: TN406
• 字数: 2905字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2005.06.007

摘要

CMOS工艺发展到深亚微米阶段,芯片的静电放电(ESD)保护能力受到了更大的限制.因此,需要采取更加有效而且可靠的ESD保护措施.基于改进的SCR器件和STFOD结构,本文提出了一种新颖的全芯片ESD保护架构,这种架构提高了整个芯片的抗ESD能力,节省了芯片面积,达到了对整个芯片提供全方位ESD保护的目的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛忠杰		13	104	6.0	10.0
2	臧佳锋	江南大学信息工程学院	6	30	2.0	5.0