硅片上顶发射的有机电致发光器件

• 作者: 侯晶莹 刘式墉 吴志军 杨惠山 赵毅 陈淑
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 有机发光器件 顶发射 亮度 电流效率
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 242-246
• 页数: 5页
• 分类号: TN383.1|TN873.3
• 字数: 2397字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2005.02.021

摘要

为了更好地实现有机发光器件在硅片上的有源矩阵显示,有必要探讨在硅片上直接制作透明阴极的顶发射有机发光器件.在顶发射发光器件中,为了到达高的发光效率,底部阳极一般采用高反射率的金属.在通常所用的各种金属当中,金属银对可见光具有很高的反射率,然而由于其具有相当低的功函数,导致与有机材料间能级的不匹配,从而引起有机发光器件中阳极空穴注入的不理想而影响器件的性能.我们在硅片上制备顶发射的有机发光器件,用薄层QAD(quinacridone)作为发光层,表面修饰的银作为阳极,制备的有机发光器件的亮度在外加电压10 V时达到13 700cd/m2,器件的最大电流效率在7 V时达到4.3 cd/A,是没有薄层QAD器件的2倍多,是由在器件中存在Alq3与QAD之间Foster能量转移机制引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘式墉	吉林大学集成光电子学国家重点实验室	57	381	11.0	17.0
2	杨惠山	吉林大学集成光电子学国家重点实验室	52	81	4.0	6.0
4	赵毅	吉林大学集成光电子学国家重点实验室	41	219	8.0	13.0
5	侯晶莹	吉林大学集成光电子学国家重点实验室	11	79	5.0	8.0
8	陈淑	吉林大学集成光电子学国家重点实验室	1	8	1.0	1.0
9	吴志军	吉林大学集成光电子学国家重点实验室	1	8	1.0	1.0