脉冲总剂量效应测试技术及其损伤规律研究

• 作者: 姚志斌 张凤祁 李永宏 罗尹虹 郭宁 郭红霞 龚建成
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 脉冲总剂量 测试系统 CMOS
• 年，卷（期）: 2005,（10）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 761-765
• 页数: 5页
• 分类号: TN431.1|O571.33
• 字数: 3789字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2005.10.008

摘要

建立了基于PCI插卡式虚拟仪器的脉冲总剂量效应在线测试系统,详细说明了其工作原理和技术指标.利用该系统研究了脉冲辐照后CMOS器件总剂量损伤以及时间关联的退火响应,包括不同栅偏压对总剂量损伤和退火行为的影响,以及氧化物陷阱电荷、界面陷阱电荷引起的阈值电压漂移与退火时间的关联情况,并从物理机理上进行了详细的分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗尹虹		54	199	8.0	10.0
2	龚建成		27	110	6.0	8.0
3	张凤祁		40	169	8.0	10.0
4	郭红霞		81	385	10.0	13.0
5	姚志斌		35	171	8.0	10.0
6	李永宏		6	86	4.0	6.0
7	郭宁		17	81	6.0	7.0