应变GaInNAs/GaAs量子阱光增益特性研究

• 作者: 俞波 廉鹏 李建军 沈光地 牛南辉 盖红星 邓军 邢艳辉 韩军
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 应变量子阱 光增益 GaInNAs
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 232-234,243
• 页数: 4页
• 分类号: TN248
• 字数: 2392字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2005.03.020

摘要

采用近似方法对GaInNAs材料的能带结构进行了分析,并计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱能级,在此基础上进一步计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱的材料光增益谱.对计算结果的分析表明,应变GaInNAs/GaAs量子阱材料是一种可以应用于1 300 nm波段的新型长波长半导体光电子材料.