ULSI用CZ硅单晶中的空洞型原生缺陷及其控制

• 作者: 乔治 候哲哲 刘彩池
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 超大规模集成电路 直拉硅单晶 空洞型原生缺陷 快速退火
• 年，卷（期）: 2005,（4）
• 所属期刊栏目: 技术专栏
• 页码范围: 16-19
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2|TN305.2
• 字数: 2514字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2005.04.006

摘要

详细阐述了COP、LSTD和FPD等空洞型原生缺陷的基本性质、形成机理和它们与晶体生长参数的关系,以及目前主要采用的几种消除空洞型缺陷的方法.研究表明,利用快速退火消除空洞型原生缺陷,是一种简单而有效的方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彩池	河北工业大学信息功能材料研究所	63	305	11.0	14.0
2	乔治	石家庄铁道学院数理部	19	67	5.0	7.0