深亚微米pMOS器件的HCI和NBTI耦合效应与物理机制

• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 深亚微米pMOS器件 热载流子注入 负偏压温度不稳定性 界面态 氧化层固定正电荷
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1813-1817
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.3
• 字数: 3145字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.09.026

摘要

研究了深亚微米pMOS器件的热载流子注入(hot-carrier injection,HCI)和负偏压温度不稳定效应(negativebias temperature instability,NBTI)的耦合效应和物理机制.器件在室温下的损伤特性由HCI效应来控制.高温条件下,器件受到HCI和NBTI效应的共同作用,二者的混合效应表现为NBTI不断增强的HCI效应.在HCI条件下器件的阈值电压漂移依赖沟道长度,而NBTI效应中器件的阈值电压漂移与沟道长度无关,给出了分解HCI和NBTI耦合效应的方法.