改善GaAs MESFETs硫钝化稳定性研究的新探索

• 作者: 李亚丽 杨克武 杨瑞霞
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 硫钝化 GaAs MESFETs 稳定性 PECVD SiNx
• 年，卷（期）: 2005,（1）
• 页码范围: 135-137
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 字数: 1806字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2005.01.034

摘要

硫钝化可以明显改善GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFETs)的击穿特性,但钝化效果不稳定.我们利用硫钝化和PECVD SiNx钝化相结合的方法,使钝化的稳定性得到了提高,但同时击穿电压会出现下降.击穿电压下降的主要原因是:As-S键很不稳定,在较高温度下分解,使GaAs表面负电荷密度减小,击穿电压下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞	河北工业大学信息工程学院	180	759	13.0	18.0
2	李亚丽	河北工业大学信息工程学院	7	2	1.0	1.0
3	杨克武		1	0	0.0	0.0