蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RF-MBE生长

• 作者: 刘宏新 张南红 曾一平 李晋闽 王军喜 王晓亮 肖红领 韩勤
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: RF-MBE 氮化铟 DCXRD AFM
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1169-1172
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 1566字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.06.020

摘要

采用低温氮化铟(InN)缓冲层,利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN外延膜.用光学显微镜观察所外延的InN单晶薄膜,表面无铟滴.InN(0002)双晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为14′;用原子力显微镜测得的表面平均粗糙度为3.3nm;Hall测量表明InN外延膜的室温背景电子浓度为3.3×1018cm-3,相应的电子迁移率为262cm2/(V·s).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓亮	中国科学院半导体研究所	38	212	9.0	12.0
2	李晋闽	中国科学院半导体研究所	75	652	13.0	23.0
3	韩勤	中国科学院半导体研究所	24	164	7.0	12.0
4	曾一平	中国科学院半导体研究所	85	439	11.0	16.0
5	刘宏新	中国科学院半导体研究所	6	56	4.0	6.0
6	王军喜	中国科学院半导体研究所	32	155	8.0	10.0
7	肖红领	中国科学院半导体研究所	7	26	3.0	5.0
8	张南红	中国科学院半导体研究所	1	8	1.0	1.0