多晶CdS/CdTe异质结界面的能带偏移

• 作者: 冯良桓 吴海霞 李卫 黄代绘
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 真空沉积 CdS/CdTe异质结 价带偏移 导带偏移
• 年，卷（期）: 2005,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1144-1148
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+5
• 字数: 2273字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.06.015

摘要

采用真空蒸发法制备了CdS和CdTe,并对其结构和光学性质进行了研究.原位制备了衬底沿(001)高度择优取向的CdS/CdTe异质结,研究了其结构、电子学性质.获得的CdS/CdTe半导体异质结的价带偏移△Ev=0.98eV±0.05eV,导带偏移△Ec=0.07士0.1eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯良桓	四川大学材料科学与工程学院	78	424	10.0	17.0
2	黄代绘	西南交通大学理学院	12	36	3.0	5.0
3	李卫	四川大学材料科学与工程学院	56	193	7.0	12.0
4	吴海霞	四川大学材料科学与工程学院	1	3	1.0	1.0