脉冲激光制备铱硅化合物长波红外敏感薄膜

• 作者: 吴敢 杨建平 王瑞 陈学康
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 脉冲激光沉积 铱硅化物 红外 肖特基势垒
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 223-225
• 页数: 3页
• 分类号: TN213
• 字数: 2171字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2005.03.017

摘要

采用脉冲激光薄膜沉积技术制备了超薄连续的铱硅化合物肖特基势垒薄膜,利用X射线光电子能谱、原子力显微镜、半导体性能自动测量系统对薄膜进行了分析.获得的样品在界面层为单相IrSi3,并对人体红外辐射有很好的响应特性,通过I-V曲线估算样品的势垒高度约为0.116 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王瑞	中国空间技术研究院兰州物理研究所	14	81	3.0	9.0
2	杨建平	中国空间技术研究院兰州物理研究所	3	0	0.0	0.0
3	吴敢	中国空间技术研究院兰州物理研究所	3	0	0.0	0.0
4	陈学康	中国空间技术研究院兰州物理研究所	2	0	0.0	0.0